日前，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說三代半”主辦的2023行家極光獎頒獎典禮盛大召開。三安榮獲“第三代半導(dǎo)體年度中國領(lǐng)軍企業(yè)”、“中國SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)”稱號，同時，三安旗下碳化硅MOSFET和碳化硅襯底產(chǎn)品雙雙入選“第三代半導(dǎo)體年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”。

本屆行家極光獎設(shè)置了“年度企業(yè)”、“十強(qiáng)榜單”、“年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”三大獎項(xiàng)，旨在表彰在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新、推廣應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)化等方面作出突出貢獻(xiàn)的企業(yè)和優(yōu)秀產(chǎn)品。

三安在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有近20年的研發(fā)歷史，具備堅實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)、豐富的制造經(jīng)驗(yàn)和一流的專業(yè)人才。公司的6吋碳化硅襯底已通過數(shù)家國際大客戶驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)批量出貨；8吋碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)小批量試制，送樣驗(yàn)證獲得國際客戶認(rèn)可；公司已經(jīng)量產(chǎn)了適用于主驅(qū)的1200V/13mΩ/16mΩ SiC MOSFET，適用于OBC的1200V/75mΩ/32mΩ SiC MOSFET，公司的全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合模式，決定了在車規(guī)級產(chǎn)品的低失效率上具有先天優(yōu)勢，而且在缺陷控制方面的研究，能夠保證缺陷ink的有效性。同時，在車規(guī)產(chǎn)品性能設(shè)計上，為了保證車規(guī)使用的安全性，還專門對BV、Vth和Tsc等核心性能進(jìn)行了優(yōu)化提升。此外，公司還完成了高壓SiC平臺的布局，其中1700V/1000mΩ SiC MOSFET已量產(chǎn)，并在各主流光伏逆變器廠商進(jìn)入驗(yàn)證階段，產(chǎn)品綜合性能優(yōu)異。截止目前，三安已累計服務(wù)國內(nèi)外客戶超800家，碳化硅芯片/器件出貨量超2億顆。通過采用三安的碳化硅產(chǎn)品，客戶能夠開發(fā)出高性能、高效率的解決方案。 

三安在碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場份額穩(wěn)步增長，公司正積極投資未來的發(fā)展。2023年6月，三安與意法宣布共建8吋碳化硅器件合資制造工廠，同時三安將獨(dú)資建立8吋碳化硅襯底工廠作為配套。這一戰(zhàn)略投資將顯著提升三安的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)能，支持公司的長期增長計劃，加速碳化硅技術(shù)在各終端市場的應(yīng)用，為能源效率的提升開啟新篇章。

三安的碳化硅技術(shù)在眾多應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵作用，包括支持汽車動力系統(tǒng)的電氣化和電動化，以及促進(jìn)可再生能源的廣泛應(yīng)用。碳化硅技術(shù)以其卓越的性能和高效率，正在開辟新的應(yīng)用前景，并為我們的生活帶來深遠(yuǎn)的影響。作為碳化硅技術(shù)的積極推廣者，三安對未來充滿期待，并致力于推動這一領(lǐng)域的創(chuàng)新與進(jìn)步。

同期舉行的SiC技術(shù)創(chuàng)新大會上，三安技術(shù)總監(jiān)葉念慈博士帶來《碳化硅垂直整合功率器件制造平臺》的專題報告；在《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》成果發(fā)布現(xiàn)場，三安作為參編單位派代表上臺參加了授證儀式。